刘淑平,贾跃虎

• 1:太原重型机械学院

摘要(Abstract)：

采用ＭＢＥ法在Ｓｉ衬底上生长ＧｅＳｉ异质结，制成ＧｅＳｉ／Ｓｉ异质结探测器。测得其反向击穿电压为１５Ｖ左右，光响应为０．５ｍＡ

关键词(KeyWords)： GeSi；探测器

Abstract:

Keywords:

基金项目(Foundation):

作者(Author): 刘淑平,贾跃虎

参考文献(References)：

• 1KingCA，GronetM．etal．IEEEEDL．1989，10（2）：52～542TatRC，JamasD，PlummerSS．lyer，IEEEDEL．1989，10（1）：14～163HeinlcichDaembkes，HelmntJorkeetal．IEEETrans．ElectronDevices，ED1986，33（5）：633～637